直流斩波
直流斩波

一、导通模式基础原理

1.1 CCM/DCM模式判据

DCDC 1
特征维度CCM模式DCM模式
判断条件电感电流连续不归零电感电流间断有停滞阶段
电流波形特征三角波连续无零区三角波+零电流平台
数学模型复杂度线性方程求解分段函数分析
应用场景大功率/低纹波要求小功率/快速响应应用

1.2对比分析表

对比维度非同步整流同步整流
续流元件快恢复二极管MOSFET(体二极管备用)
导通损耗正向压降×电流(0.3-0.7V)I²×Rds(on)(毫欧级)
驱动复杂度无需控制需互补PWM+死区控制
反向恢复问题存在反向恢复损耗无反向恢复(MOS单向导通)

二、自举电路

2.1 核心原因

VS浮动引发的VGS失控

理想驱动条件

$$
V_{GS} = V_{DRV} – V_S
$$

在开关过程中VS剧烈跳变(如BUCK模式下VS在VIN与GND间切换)

失效机理

  • 导通阶段:$$
    V_S \approx V_{IN} \Rightarrow V_{GS} = V_{DRV} – V_{IN}
    $$
    若VDRV未抬升 $\Rightarrow$ VGS < Vth $\Rightarrow$ MOSFET无法完全导通
  • 关断阶段:$$
    \frac{dV_S}{dt} \ \text{通过} \ C_{gd} \ \text{耦合} \ \Rightarrow V_{GS} \ \text{尖峰} \ \Rightarrow \text{误导通风险}
    $$

2.2 关键器件计算公式

自举电容选型

容量计算

$$
C_{BOOT} > \frac{Q_g + Q_{ls} + Q_d}{\Delta V_{BOOT}} \times 1.5
$$

其中:

  • $Q_g$: MOSFET栅极总电荷(查datasheet)
  • $Q_{ls}$: 驱动芯片内部损耗电荷(约3-5nC)
  • $\Delta V_{BOOT}$: 允许电压降(一般取0.5V)

容值快速估算

$$
\boxed{C_{BOOT} \approx 100 \times Q_g\ (\text{nC})}
$$

(例:Qg=10nC $\Rightarrow$ CBOOT=1000nF)


自举二极管选型

耐压要求

$$
V_{RRM} > V_{IN\_max} + V_{CC}
$$

电流能力

$$
I_F > \frac{C_{BOOT} \times V_{CC}}{t_{dead}} \times f_{SW} \times 2
$$

其中:

  • $V_{IN\_max}$: 最大输入电压
  • $V_{CC}$: 驱动芯片供电电压
  • $t_{dead}$: 死区时间
  • $f_{SW}$: 开关频率

充电回路:电容充/电感放,各走各路!

浮地驱动:浮地要驱动,就要加自举!

持续导通:电压不突变,导通能持久!

DCDC 3
直流斩波 7

三、同步Buck电路解析

3.1 拓扑结构

BUCK

3.2 电压转换特性

CCM模式:

$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = D \quad (0 < D < 1)
$$

DCM模式:

$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{2D^2}{K(1-D)+2D^2} \quad \left(K=\frac{2L}{RT_{sw}}\right)
$$

3.3 电感参数

CCM最小电感:

$$ L_{min} = \frac{(V_{in}-V_{out})D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \\[1ex]$$

$$ (\Delta I_L=0.2I_{rated},\ f_{sw}\text{为开关频率},I_{rated}\text{为30\%额定输出电流}) $$

1.8$L_{min}$>实际电感>1.2$L_{min}$

DCM临界条件:

$$
L_{crit} = \frac{V_{out}(1-D)}{2f_{sw}I_{out}}
$$

3.4 电流路径

工作模式阶段描述电流路径
CCM储能阶段Vin → Q1 → 电感 → 电容 → 负载
CCM续流阶段电感 → 电容 → 负载 → Q2 → 电感
DCM停滞阶段电容独立供电维持负载电压

四、同步Boost电路解析

4.1 拓扑结构

BOOST

4.2 电压转换特性

CCM模式:

$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{1-D} \quad (D<0.8)
$$

DCM模式:

$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = 1 + \frac{D}{\sqrt{\frac{2L}{RT_{sw}}}}
$$

4.3 电感参数

CCM最小电感:

$$
L_{min} = \frac{V_{in}D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \\ (\Delta I_L=0.3I_{in},\ f_{sw}\text{为开关频率})
$$

1.8$L_{min}$>实际电感>1.2$L_{min}$

DCM临界条件:

$$
L_{crit} = \frac{V_{in}^2D^2}{2f_{sw}P_{out}(1-D)}
$$

4.4 电流路径

工作模式阶段描述电流路径
CCM储能阶段输入电源 → 电感 → Q1 → 地
CCM传输阶段输入电源 → 电感 → Q2 → 电容 → 负载
DCM停滞阶段电容独立维持负载电压

五、同步Buck-Boost电路解析

5.1 拓扑结构

” Q1和Q4由D控制,Q2和Q3由1-D控制”

BUCK BOOST

5.2 电压转换特性

Buck模式(降压模式):

  • CCM模式: $$
    \frac{V_{out}}{V_{in}} = D
    $$
  • DCM模式: $$
    \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{2D^2}{\frac{2L}{R T_{sw}} + D^2}
    $$

Boost模式(升压模式):

  • CCM模式: $$
    \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{1-D}
    $$
  • DCM模式: $$
    \frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{2} \left( 1 + \sqrt{1 + \frac{2D^2 R T_{sw}}{L(1-D)}} \right)
    $$

BUCK-Boost模式(升压模式):

$$
V_{out} = \frac{D}{1-D} \cdot V_{in}
$$


5.3 电感参数

Buck模式(降压模式):

  • CCM最小电感: $$
    L_{min} = \frac{V_{in} \cdot D \cdot (1-D)}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \quad (\Delta I_L = 0.25I_{out})
    $$
  • DCM临界条件: $$
    L_{crit} = \frac{V_{in} \cdot D \cdot (1-D) \cdot T_{sw}}{2I_{out}}
    $$

Boost模式(升压模式):

  • CCM最小电感: $$
    L_{min} = \frac{V_{in} \cdot D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \quad (\Delta I_L = 0.25I_{out})
    $$
  • DCM临界条件: $$
    L_{crit} = \frac{V_{in}^2 \cdot D^2}{2f_{sw} \cdot P_{out} \cdot (1-D)}
    $$
    实际电感取两者计算结果最大值

5.4 电流路径

补充后的完整表格

工作模式阶段开关状态有效电流路径
Buck模式Q3常通,Q4常闭
电感充电Q1导通Q2关断VIN → Q1 → L → Q3 → 输出电容 → 负载 → GND
电感放电Q2导通Q1关断L → Q3 → 输出电容 → 负载 → Q2 → GND
Boost模式Q1常通,Q2常闭
电感充电Q4导通Q3关断VIN →Q1→ L → Q4 → GND
电感放电Q3导通Q4关断VIN →Q1→ L → Q3 → 输出电容 → 负载 → GND
停滞阶段所有MOS关断Q2/Q4体二极管续流输出电容 → 负载 → Q2体二极管 → Q4体二极管环路
BUCK-BOOST模式Q1/Q2互补,Q3/Q4互补
联合充电阶段Q1导通,Q4导通Q2关断,Q3关断VIN → Q1 → L → Q4 → GND(BOOST级储能) 同时:VIN → Q1 → L → Q3体二极管 → 输出电容 → 负载 → GND(BUCK级充电)
联合放电阶段Q2导通,Q3导通Q1关断,Q4关断L → Q3 → 输出电容 → 负载 → Q2 → GND(BUCK级放电) 同时:L → Q4体二极管 → GND(BOOST级放电)
停滞阶段所有MOS关断Q2/Q4体二极管续流输出电容 → 负载 → Q2体二极管 → Q4体二极管环路(BUCK续流) 同时:L → Q4体二极管 → GND(BOOST续流)

六、关键设计

6.1 驱动时序要求

死区时间计算:

$$
t_{dead} = \frac{Q_g}{I_{drive}} + 15ns \quad (Q_g\text{为栅极电荷})
$$

6.2 损耗计算模型

同步MOS损耗:

$$
P_{loss} = I_{RMS}^2 \cdot R_{ds(on)} + \frac{1}{2}V_{ds} \cdot I_{peak} \cdot t_{rr} \cdot f_{sw}
$$

七、电流模式选型

DCDC 2

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