一、导通模式基础原理
1.1 CCM/DCM模式判据

特征维度 | CCM模式 | DCM模式 |
---|---|---|
判断条件 | 电感电流连续不归零 | 电感电流间断有停滞阶段 |
电流波形特征 | 三角波连续无零区 | 三角波+零电流平台 |
数学模型复杂度 | 线性方程求解 | 分段函数分析 |
应用场景 | 大功率/低纹波要求 | 小功率/快速响应应用 |
1.2对比分析表
对比维度 | 非同步整流 | 同步整流 |
---|---|---|
续流元件 | 快恢复二极管 | MOSFET(体二极管备用) |
导通损耗 | 正向压降×电流(0.3-0.7V) | I²×Rds(on)(毫欧级) |
驱动复杂度 | 无需控制 | 需互补PWM+死区控制 |
反向恢复问题 | 存在反向恢复损耗 | 无反向恢复(MOS单向导通) |
二、自举电路
2.1 核心原因
VS浮动引发的VGS失控
理想驱动条件:
$$
V_{GS} = V_{DRV} – V_S
$$
在开关过程中VS剧烈跳变(如BUCK模式下VS在VIN与GND间切换)
失效机理:
- 导通阶段:$$
V_S \approx V_{IN} \Rightarrow V_{GS} = V_{DRV} – V_{IN}
$$
若VDRV未抬升 $\Rightarrow$ VGS < Vth $\Rightarrow$ MOSFET无法完全导通 - 关断阶段:$$
\frac{dV_S}{dt} \ \text{通过} \ C_{gd} \ \text{耦合} \ \Rightarrow V_{GS} \ \text{尖峰} \ \Rightarrow \text{误导通风险}
$$
2.2 关键器件计算公式
自举电容选型
容量计算:
$$
C_{BOOT} > \frac{Q_g + Q_{ls} + Q_d}{\Delta V_{BOOT}} \times 1.5
$$
其中:
- $Q_g$: MOSFET栅极总电荷(查datasheet)
- $Q_{ls}$: 驱动芯片内部损耗电荷(约3-5nC)
- $\Delta V_{BOOT}$: 允许电压降(一般取0.5V)
容值快速估算:
$$
\boxed{C_{BOOT} \approx 100 \times Q_g\ (\text{nC})}
$$
(例:Qg=10nC $\Rightarrow$ CBOOT=1000nF)
自举二极管选型
耐压要求:
$$
V_{RRM} > V_{IN\_max} + V_{CC}
$$
电流能力:
$$
I_F > \frac{C_{BOOT} \times V_{CC}}{t_{dead}} \times f_{SW} \times 2
$$
其中:
- $V_{IN\_max}$: 最大输入电压
- $V_{CC}$: 驱动芯片供电电压
- $t_{dead}$: 死区时间
- $f_{SW}$: 开关频率
充电回路:电容充/电感放,各走各路!
浮地驱动:浮地要驱动,就要加自举!
持续导通:电压不突变,导通能持久!

三、同步Buck电路解析
3.1 拓扑结构

3.2 电压转换特性
CCM模式:
$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = D \quad (0 < D < 1)
$$
DCM模式:
$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{2D^2}{K(1-D)+2D^2} \quad \left(K=\frac{2L}{RT_{sw}}\right)
$$
3.3 电感参数
CCM最小电感:
$$ L_{min} = \frac{(V_{in}-V_{out})D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \\[1ex]$$
$$ (\Delta I_L=0.2I_{rated},\ f_{sw}\text{为开关频率},I_{rated}\text{为30\%额定输出电流}) $$
1.8$L_{min}$>实际电感>1.2$L_{min}$
DCM临界条件:
$$
L_{crit} = \frac{V_{out}(1-D)}{2f_{sw}I_{out}}
$$
3.4 电流路径
工作模式 | 阶段描述 | 电流路径 |
---|---|---|
CCM | 储能阶段 | Vin → Q1 → 电感 → 电容 → 负载 |
CCM | 续流阶段 | 电感 → 电容 → 负载 → Q2 → 电感 |
DCM | 停滞阶段 | 电容独立供电维持负载电压 |
四、同步Boost电路解析
4.1 拓扑结构

4.2 电压转换特性
CCM模式:
$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{1-D} \quad (D<0.8)
$$
DCM模式:
$$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = 1 + \frac{D}{\sqrt{\frac{2L}{RT_{sw}}}}
$$
4.3 电感参数
CCM最小电感:
$$
L_{min} = \frac{V_{in}D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \\ (\Delta I_L=0.3I_{in},\ f_{sw}\text{为开关频率})
$$
1.8$L_{min}$>实际电感>1.2$L_{min}$
DCM临界条件:
$$
L_{crit} = \frac{V_{in}^2D^2}{2f_{sw}P_{out}(1-D)}
$$
4.4 电流路径
工作模式 | 阶段描述 | 电流路径 |
---|---|---|
CCM | 储能阶段 | 输入电源 → 电感 → Q1 → 地 |
CCM | 传输阶段 | 输入电源 → 电感 → Q2 → 电容 → 负载 |
DCM | 停滞阶段 | 电容独立维持负载电压 |
五、同步Buck-Boost电路解析
5.1 拓扑结构
” Q1和Q4由D控制,Q2和Q3由1-D控制”
5.2 电压转换特性
Buck模式(降压模式):
- CCM模式: $$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = D
$$ - DCM模式: $$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{2D^2}{\frac{2L}{R T_{sw}} + D^2}
$$
Boost模式(升压模式):
- CCM模式: $$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{1-D}
$$ - DCM模式: $$
\frac{V_{out}}{V_{in}} = \frac{1}{2} \left( 1 + \sqrt{1 + \frac{2D^2 R T_{sw}}{L(1-D)}} \right)
$$
BUCK-Boost模式(升压模式):
$$
V_{out} = \frac{D}{1-D} \cdot V_{in}
$$
5.3 电感参数
Buck模式(降压模式):
- CCM最小电感: $$
L_{min} = \frac{V_{in} \cdot D \cdot (1-D)}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \quad (\Delta I_L = 0.25I_{out})
$$ - DCM临界条件: $$
L_{crit} = \frac{V_{in} \cdot D \cdot (1-D) \cdot T_{sw}}{2I_{out}}
$$
Boost模式(升压模式):
- CCM最小电感: $$
L_{min} = \frac{V_{in} \cdot D}{\Delta I_L \cdot f_{sw}} \quad (\Delta I_L = 0.25I_{out})
$$ - DCM临界条件: $$
L_{crit} = \frac{V_{in}^2 \cdot D^2}{2f_{sw} \cdot P_{out} \cdot (1-D)}
$$
实际电感取两者计算结果最大值
5.4 电流路径
补充后的完整表格
工作模式 | 阶段 | 开关状态 | 有效电流路径 |
---|---|---|---|
Buck模式 | Q3常通,Q4常闭 | ||
电感充电 | Q1导通 | Q2关断 | VIN → Q1 → L → Q3 → 输出电容 → 负载 → GND |
电感放电 | Q2导通 | Q1关断 | L → Q3 → 输出电容 → 负载 → Q2 → GND |
Boost模式 | Q1常通,Q2常闭 | ||
电感充电 | Q4导通 | Q3关断 | VIN →Q1→ L → Q4 → GND |
电感放电 | Q3导通 | Q4关断 | VIN →Q1→ L → Q3 → 输出电容 → 负载 → GND |
停滞阶段 | 所有MOS关断 | Q2/Q4体二极管续流 | 输出电容 → 负载 → Q2体二极管 → Q4体二极管环路 |
BUCK-BOOST模式 | Q1/Q2互补,Q3/Q4互补 | ||
联合充电阶段 | Q1导通,Q4导通 | Q2关断,Q3关断 | VIN → Q1 → L → Q4 → GND(BOOST级储能) 同时:VIN → Q1 → L → Q3体二极管 → 输出电容 → 负载 → GND(BUCK级充电) |
联合放电阶段 | Q2导通,Q3导通 | Q1关断,Q4关断 | L → Q3 → 输出电容 → 负载 → Q2 → GND(BUCK级放电) 同时:L → Q4体二极管 → GND(BOOST级放电) |
停滞阶段 | 所有MOS关断 | Q2/Q4体二极管续流 | 输出电容 → 负载 → Q2体二极管 → Q4体二极管环路(BUCK续流) 同时:L → Q4体二极管 → GND(BOOST续流) |
六、关键设计
6.1 驱动时序要求
死区时间计算:
$$
t_{dead} = \frac{Q_g}{I_{drive}} + 15ns \quad (Q_g\text{为栅极电荷})
$$
6.2 损耗计算模型
同步MOS损耗:
$$
P_{loss} = I_{RMS}^2 \cdot R_{ds(on)} + \frac{1}{2}V_{ds} \cdot I_{peak} \cdot t_{rr} \cdot f_{sw}
$$
七、电流模式选型
